Интегральные микросхемы 1468 (Teledyne), 3571, 3572, 3573 (BurrBrown), 8510, 8515, 8520, 8530 (Intersil), OPA502, OPA511, OPA512 (Burr-Brown), PA01, PA07, PA07A,РА10, РА10А, PA12, PA12A, PA73 (Apex) с идентичными схемами и различными параметрами выполнены в корпусах ТО-3 с 8 выводами. Представляют собой мощные операционные усилители и предназначены в частности для использования в качестве усилителей мощности НЧ в звуковоспроизводящей аппаратуре высокого класса с двухполярным питанием. Некоторые из основных параметров микросхем следующие:
|
Uccmin |
Uccmax |
Icc0 |
ΔF |
Rвых |
Pвых |
Кг |
Ку,напр. |
1468 |
±10V |
±45V |
25mA |
20Hz-20KHz |
4Ω |
120W |
0,08% |
110dB |
3571 |
±10V |
±40V |
21mA |
20Hz-20KHz |
4Ω |
50W |
0,06% |
92dB |
3572 |
±10V |
±45V |
21mA |
20Hz-20KHz |
4Ω |
60W |
0,08% |
88dB |
3573 |
±10V |
±50V |
25mA |
20Hz-20 KHz |
4Ω |
60W |
0,08% |
88dB |
8510 |
±10V |
±25V |
20mA |
20Hz-20KHz |
4Ω |
50W |
0,08% |
113dB |
8515 |
±10V |
±30V |
20mA |
20Hz-20 KHz |
4Ω |
50W |
0,08% |
113dB |
8520 |
±12V |
±50V |
18mA |
20Hz-20KHz |
4Ω |
60W |
0,08% |
98dB |
8530 |
±12V |
±50V |
18mA |
20Hz-20KHz |
4Ω |
60W |
0,08% |
98dB |
ОРА502 |
±10V |
±45V |
40mA |
20Hz-20KHz |
4Ω |
60W |
0,08% |
103dB |
ОРА511 |
±10V |
±45V |
30mA |
20Hz-20KHz |
4Ω |
60W |
0,06% |
102dB |
OPA512 |
±10V |
±45V |
25mA |
20Hz-20KHz |
4Ω |
50W |
0,06% |
110dB |
PA01 |
±10V |
±28V |
20mA |
20Hz-20KHz |
4Ω |
50W |
0,05% |
113dB |
PA07 |
±12V |
±50V |
18mA |
20Hz-20KHz |
4Ω |
60W |
0,06% |
98dB |
PA07A |
±12V |
±50V |
18mA |
20Hz-20KHz |
4Ω |
60W |
0,06% |
98dB |
РА10 |
±10V |
±45V |
15inA |
20Hz-20KHz |
4Ω |
60W |
0,05% |
110dB |
РА10А |
±10V |
±50V |
15mA |
20Hz-20KHz |
4Ω |
60W |
0,05% |
110dB |
РА12 |
±10V |
±45V |
25mA |
20Hz-20KHz |
4Ω |
120W |
0,8% |
110dB |
PA12A |
±10V |
±50V |
25mA |
20Hz-20KHz |
4Ω |
120W |
0,8% |
110dB |
РА73 |
±10V |
±30V |
20mA |
20Hz-20KHz |
4Ω |
50W |
0,8% |
113dB |
Микросхемы ОРА502, OPA511 и ОРА512 выпускаются в двух модификациях (с суффиксами ВМ и SM, например ОРА502ВМ и OPA502SM),которые имеют идентичные параметры и отличаются температурным диапазоном (-40°С-+85°С для ВМ и -55°C-+125°C для SM). В микросхемы встроена защита выхода от короткого замыкания в нагрузке, от повышения напряжения питания и термозащита (150°С). Для получения максимальной выходной мощности микросхемы необходимо установить на соответствующий теплоотвод (радиатор).
A1034, AN7108, CXA1005P, CXA1034P, KA22132
Интегральные микросхемы А1034 (NEC), AN7108 (Matsushita), СХА1005Р и СХА1034Р (Sony), KA22132 (Samsung) с идентичными схемами и параметрами выполнены в корпусах DIP с 16 выводами Представляют собой двухканальные усилители воспроизведения, корректоры тона и усилители мощности низкой частоты. Предназначены для использования в малогабаритных кассетных магнитофонах (плэйерах) высокого класса. Контуры частотной коррекции обеспечивают при воспроизведении АЧХ согласно стандарту NAB для магнитной ленты FeO. Микросхемы позволяют осуществлять электронную регулировку громкости посредством переменного резистора VOLUME. Основные параметры микросхем (выходные параметры для одного канала) следующие:
Uccmin |
Uccmax |
Icc0 |
ΔF |
Rвых |
Pвых |
Кг |
Ку,напр. |
1,5 V |
6 V |
2 mA |
15Hz-20KHz |
32Ω |
(4,5V/32Ω) 0,1W |
0,01% |
68dB |
В микросхемы встроена защита выхода от короткого замыкания в нагрузке и от
повышения напряжения питания. Для получения максимальной выходной мощности нет
необходимости в теплоотводе (радиаторе).
A2000V, A2005V, DBL1032-D, LM2005, TDA2004A, TDA2005S, TDA2005M, μPC2005
Интегральные микросхемы A2000V и A2005V (RFT), DBL1032-D (GoldStar), LM2005 (National Semiconductor), TDA2004A,TDA2005S,TDA2005M(SGS-Thomson), μРС2005 (NEC) с идентичными схемами и различными параметрами выполнены в корпусах SIP1 с 11 выводами. Представляют собой двухканальные (стереофонические) усилители мощности низкой частоты и предназначены для использования в магнитофонах (в том числе автомобильных), электрофонах, другой аудиоаппаратуре среднего и высокого классов. Возможно так же подключение микросхем без использования положительной обратной связи, что позволяет применить меньшее количество навесных элементов. Для получения удвоенной выходной мощности на том же сопротивлении нагрузки, при том же напряжении питания, микросхемы можно подключать по мостовой схеме. Микросхема TDA2005M разработанна специально для использования в мостовой схеме. Некоторые из основных параметров микросхем (выходные параметры - для одного канала; для TDA2005M - в мостовой схеме) следующие:
|
Uccmin |
Uccmax |
Icc0 |
ΔF |
Rвых |
Pвых |
Кг |
Ку,напр. |
A2000V |
4V |
18V |
30mA |
40Hz-20KHz |
2Ω |
6,25W |
0,25% |
84dB |
A2005V |
4V |
18V |
75mA |
40Hz-20KHz |
2Ω |
6,5W |
0,22% |
85dB |
DBL1032-D |
8V |
18V |
65mA |
35Hz-20KHz |
2Ω |
10W |
0,2% |
90dB |
LM2005 |
8V |
18V |
65mA |
35Hz-20KHz |
2Ω |
10W |
0,2% |
90dB |
TDA2004A |
8V |
18V |
65mA |
35Hz-20KHz |
2Ω |
10W |
0,2% |
90dB |
TDA2005S |
8V |
18V |
65mA |
40Hz-20KHz |
2Ω |
10W |
0,2% |
90dB |
TDA2005M |
8V |
18V |
75mA |
35Hz-20KHz |
3,2Ω |
22W |
1% |
50dB |
μРС2005 |
8V |
18V |
65mA |
40Hz-20KHz |
2Ω |
9,5W |
0,2% |
90dB |
В микросхемы встроена защита выхода от короткого замыкания в нагрузке, от повышения напряжения питания и термозащита (145 С) Для получения максимальной выходной мощности микросхемы необходимоустановить на теплоотвод (радиатор)
A2030H,
A2030V, K174УH19, L165,
LM1875, 0PA544, TDA2006H,
TDA2006V, TDA2030H, TDA2030V, TDA2030AH, TDA2030AV, TDA2040H, TDA2040V.
ТDА2050Н,
ТDА2050V,
ТDА2051Н,
ТDА2051V,
μРС1238
Интегральные микросхемы А2030Н и A2030V (RFT), К174УН19 (СНГ),LM1875 (National Semiconductor),L165, TDA2006H, TDA2006V,TDA2030H,TDA2030V, TDA2030AH, TDA2030AV, TDA2040H, TDA2040V, TDA2050H,TDA2050V,TDA2051H и TDA2051V(SGS-Thomson„ OPA544 (Burr-Brown),(μРС1238 (NEC) с идентичными схемами и различными параметрами выполнены в корпусах ТО-220 с 5 выводами сформованными в два ряда, параллельно плоскости корпуса. У микросхем с суффиксом V выводы согнуты перпендикулярно плоскости корпуса.
Представляют собой усилители мощности низкой частоты и предназначены для использования в магнитофонах, электрофонах, другой аудиоаппаратуре среднего и высокого классов с двухполярным питанием. Диоды D1 и D2 защищают выходные транзисторы микросхем от бросков обратного напряжения, индуцированного холостым обратным ходом катушки громкоговорителя. Возможно так же подключение микросхем в схеме с однополярным питанием. Для получения удвоенной выходной мощности на том же сопротивлении нагрузки, при том же напряжении питания, микросхемы можно подключать по мостовой схеме. Некоторые из основных параметров микросхем следующие:
|
Ucmin |
Uccmax |
Icc0 |
ΔF |
Rвых |
Pвых |
Кг |
Ку |
А2030Н |
±6V |
±18V |
60mA |
30Hz-20KHz |
4Ω |
16W |
0,1% |
84dB |
A2030V |
±6V |
±18V |
60mA |
30Hz-20KHz |
4Ω |
16W |
0,25% |
84dB |
К174УН19 |
±6V |
+18V |
56mA |
30Hz-20KHz |
4Ω |
15W |
0,1% |
84dB |
L165 |
±6V |
±18V |
60mA |
30Hz-20KHz |
4Ω |
12W |
0,1% |
80dB |
LM1875 |
±6V |
±18V |
60mA |
30Hz-20KHz |
4Ω |
16W |
0,1% |
84dB |
ОРА544 |
±10V |
+35V |
24mA |
20Hz-140KHz |
4Ω |
30W |
0,05% |
90dB |
TDA2006H |
±6V |
±15V |
40mA |
20Hz-20KHz |
4Ω |
12W |
0,2% |
75dB |
TDA2006V |
±6V |
±15V |
40mA |
20Hz-20KHz |
4Ω |
12W |
0,2% |
75dB |
TDA2030H |
±6V |
±18V |
40mA |
10Hz-20KHz |
4Ω |
18W |
0,2% |
90dB |
TDA2030V |
±6V |
±18V |
40mA |
10Hz-20KHz |
4Ω |
18W |
0,2% |
90dB |
TDA2030AH |
±6V |
±22V |
50mA- |
40Hz-20KHz |
4Ω |
18W |
0,2% |
80dB |
TDA2030AV |
±6V |
±22V |
50mA |
40Hz-20KHz |
4Ω |
18W |
0,2% |
80dB |
TDA2040H |
±2,5V |
±20V |
45mA |
40Hz-20KHz |
4Ω |
2ZW |
0,5% |
80dB |
TDA2040V |
±2,5V |
±20V |
45mA |
40Hz-20KHz |
4Ω |
22W |
0,5% |
80dB |
TDA2050H |
±2,5V |
±25V |
55mA |
40Hz-20KHz |
4Ω |
35W |
0,5% |
80dB |
TDA2050V |
±2,5V |
±25V |
55mA |
40Hz-20KHz |
4Ω |
35W |
0,5% |
80dB |
TDA2050H |
±2,5V |
±25V |
55mA |
40Hz-20KHz |
4Ω |
40W |
0,5% |
80dB |
TDA2050V |
±2,5V |
±25V |
55mA |
40Hz-20KHz |
4Ω |
40W |
0,5% |
80dB |
μРС1238 |
±6V |
±28V |
60mA |
30Hz-20KHz |
4Ω |
16W |
0,1% |
84dB |
В микросхемы встроена защита выхода от короткого замыкания в нагрузке и термозащита (150°С). Для получения максимальной выходной мощности микросхемы необходимо установить на теплоотвод (радиатор).
Интегральная микросхема AN272 фирмы
Matsushita выполнена в корпусе SIP2 с 10 выводами и представляет собой
усилитель мощности низкой частоты. Предназначена для использования в
магнитофонах, электрофонах, телевизионных и радиоприемниках, другой аудиоаппаратуре
среднего класса с двухполярным питанием. Некоторые из основных параметров
микросхемы следующие:
Uccmin ±8 V
Uccmax ±17 V
Pвых(±10V/8n) 5 W
Icc0(Uвх=0) 20 mA
Rвх
180KΩ
Ку,напр.
80dB
ΔF
40Hz-18KHz
Кг(Pвых=0,5W,f=1KHz) 0,13%
Rвыхnom 8Ω
В микросхему встроена защита выхода от короткого замыкания в нагрузке. Для
получения максимальной выходной мощности микросхему необходимо установить на
теплоотвод (радиатор).
Интегральные микросхемы AN274, AN374 и AN374P фирмы Matsushita выполнены в корпусах ТО-100 с 10 выводами(AN274 и AN374) и SIL с 7 выводами (AN374P). Представляют собой усилители мощности низкой частоты и предназначены для использования в магнитофонах, электрофонах, телевизорах и радиоприемниках, другой аудиоаппаратуре низкого класса. Микросхемы AN374, и AN374P идентичны по параметрам отличаются цоколевкой. Типовая схема подключения (для AN274 и AN374)приведена на рисунке 1, для AN374 - на рисунке 2.
Некоторые из основных параметров микросхем следующие:
|
AN274 |
AN374 |
Uccmin |
6V |
6V |
Uccmax |
16 V |
16 V |
Pвых(10V/8Ω) |
1,3 W |
1 W |
Icc0(Uвх=0) |
8 mA |
8 mA |
Rвх |
150КΩ |
150КΩ |
Ку,напр. |
72dB |
72dB |
ΔF |
50Hz-17KHz |
50Hz-17KHz |
Кг(Pвых=0,lW,f=lKHz) |
0,1% |
0,15% |
Rвыхnom |
8Ω |
8Ω |
В микросхемах отсутствует защита выхода от короткого замыкания в нагрузке. Для получения максимальной выходной мощности микросхемы нет необходимости устанавливать на теплоотвод (радиатор).
Интегральная микросхема AN313 фирмы
Matsushita выполнена в корпусе TABS6 с 16 выводами и представляет собой
двухканальный (стерео)усилитель мощности низкойчастоты. Предназначена
дляиспользования в магнитофонах, электрофонах, телевизионных и радиоприемниках,
другой аудиоаппаратуре среднего класса. Некоторые из основных параметров
микросхемы (выходные параметры для одного канала) следующие:
Uccmin 12 V
Uccmax 20 V
Pвых(16V/8Ω) 3 W
Icc0(Uвх.=0) 40 mA
Rвх.
150KΩ
Ку,напр.
76dB
ΔF
40Hz-18KHz
Кг(Pвых=0,2W, f=lKHz) 0,15%
Rвыхnom 8Ω
В микросхему встроена защита выхода от короткого замыкания в нагрузке. Для получения максимальной выходной мощности микросхему необходимо установить на теплоотвод (радиатор).
Интегральная микросхема AN315 фирмы
Matsushita выполнена в корпусе SIP2 с ll выводами и представляет собой
усилитель мощности низкой частоты. Предназначена для использования в
магнитофонах, электрофонах, телевизионных и радиоприемниках, другой аудиоаппаратуре
среднего класса. Некоторые из основных параметров микросхемы следующие:
Uccmin 9 V
Uccmax 18 V
Pвых(13V/4Ω) 5,5 W
Icc0(Uвх=0) 28 mA
Rвх
120КΩ
Ку,напр.
76dB
ΔF
40Hz-18KHz
Кг(Pвых==0,5W, f=lKHz) 0,1%
Rвыхnom 4Ω
В микросхему встроена защита выхода от короткого «замыкания в нагрузке. Для получения максимальной выходной мощности микросхему необходимо установить на теплоотвод (радиатор).
Интегральная микросхема AN7102S (Matsushita)
выполнена в корпусеDIP с 16 выводами и представляет собой двухканальный
усилитель воспроизведения, корректор тона и усилитель мощности низкой частоты.
Предназначена для использования в малогабаритных кассетных магнитофонах
(плэйерах) высокого класса. Контуры частотной коррекции обеспечивают при
воспроизведении АЧХ согласно стандарту NAB для магнитной ленты FeO. Основные
параметры микросхемы (выходные параметры для одного канала) следующие:
Uccmin 1,5 V
Uccmax 4,5 V
Pвых(3V/32Ω) 75 mW
Icc0(Uвх=0) 2 mA
Ку,напр. 68dB
ΔF
15Hz-20KHz
Uвхmax 10 mV
Кг(Pвых=1mW, f=1KHz) 0,01%
Uвх0 14mV
Rвыхnom 32Ω
В микросхему встроена защита выхода от короткого замыкания в нагрузке и от повышения напряжения питания. Для получения максимальной выходной мощности нет необходимости в теплоотводе (радиаторе).
Интегральная микросхема AN7106K
(Matsushita) выполнена в корпусе DIP с 24 выводами и представляет собой
двухканальный усилитель воспроизведения, корректор тона и усилитель мощности
низкой частоты. Предназначена для использования в малогабаритных кассетных
магнитофонах (плэйерах) высокого класса. Контуры частотной коррекции
обеспечивают при воспроизведении АЧХ согласно стандарту NAB для магнитной ленты
FeO. Основные параметры микросхемы (выходные параметры для одного канала)
следующие:
Uccmin 1,5 V
Uccmax 4,5 V
Pвых(3V/32Ω) 140 mW
Icc0(Uвх=0) 6 mA
Ку,напр. 62dB
ΔF 15Hz-20KHz
Uвхmax 10 mV
Кг(Pвых=10mW, f=1KHz) 0,01%
Uвх0
10mV
Rвыхnom 32Ω
В микросхему встроена защита выхода от короткого замыкания в нагрузке и от повышения напряжения питания. Для получения максимальной выходной мощности нет необходимости в теплоотводе (радиаторе).
AN7112, КА2212, LA4140, ТА7313АР
Интегральные микросхемы AN7112
(Matsushita),КА2212 (Samsung), LA4140(Sanyo) и ТА7313АР (Toshiba) с идентичными
схемами и параметрами выполнены в корпусах SIL с 9 выводами. Представляют собой
усилители мощности низкой частоты и предназначены для использования в кассетных
магнитофонах, телевизионных и радиоприемниках, другой аудиоаппаратуре низкого
класса. Основные параметры микросхем следующие:
Uccmin 4 V
Uccmax 14 V
Pвых(9V/l6Ω) 0,5 W
Icc0(Uвх=0) 12 mA
Ку,напр.
62dB
ΔF 40Hz-18KHz
Кг(Pвых=20mW, f=lKHz) 0,1%
Rвыхnom 8Ω
В микросхемы встроена защита выхода от короткого замыкания в нагрузке. Для получения максимальной выходной мощности нет необходимости в теплоотводе(радиаторе).
Интегральная микросхема AN7116 фирмы
Matsushita выполнена в корпусе SIL с 9 выводамии представляет собой усилитель
мощности низкой частоты. Предназначена для использования вмагнитофонах,
электрофонах, телевизионных и радиоприемниках, другойаудиоаппаратуре низкого
класса. Некоторые из основных параметров микросхемы следующие:
Uccmin 3 V
Uccmax 9 V
Pвых(6V/4Ω) 0,77 W
Icc0(Uвх=0) 13 mA
Rвх
100KΩ
Ку,напр.
42dB
ΔF
40Hz-17KHz
Кг(Pвых=0,lW, f=lKHz) 0,2%
Rвыхnom 4Ω
В микросхему встроена защита выхода от короткого замыкания в нагрузке. Для получения максимальной выходной мощности нет необходимости в теплоотводе (радиаторе).
Интегральная микросхема AN7117 фирмы
Matsushita выполнена в корпусе SIL с 9 выводами и представляет собой усилитель
мощности низкой частоты. Предназначена для использования вмагнитофонах,
электрофонах, телевизионных и радиоприемниках, другой аудиоаппаратуре низкого
класса. Некоторый из основных параметров микросхемы следующие:
Uccmin 3 V
Uccmax 9 V
Pвых(9V/4Ω) 0,66 W
Icc0(Uвх=0) 8 mA
Rвых
150КΩ
Ку,напр. 66dB
ΔF 40Hz-17KHz
Кг(Pвых=0,lW, f=lKHz) 0,15%
Rвыхnom 4Ω
В микросхему встроена защита выхода от короткого замыкания в нагрузке. Для получения максимальной выходной мощности нет необходимости в теплоотводе (радиаторе).
Интегральные микросхемы AN7118 и AN7118S
фирмы Matsushita выполнены в корпусах DIP с 16 выводами (AN7118) и mini-DIP с
18 выводами (AN7118S) и представляют собой двухканальные (стерео) усилители
мощности низкой частоты с идентичными параметрами и схемами, но различными
цоколевками. Предназначены для использования в кассетных магнитофонах низкого
класса с батарейным питанием. Типовая схема подключения для AN7118 приведена на
рис.1, для AN7118S- на рис.2.Некоторые из основных параметров микросхем
(выходные параметры для одного канала) следующие:
Uccmin 1,5 V
Uccmax 4,5 V
Pвых(3V/4Ω) 0,13 W
Icc0(Uвх=0) 8 mA
Rвыхn
120КΩ
Ку,напр.
66dB
ΔF
30Hz-18KHz
Кг(Pвых=0,01W, f=lKHz) 0,2%
Rвыхnom 4Ω
В микросхемы встроена защита выхода от короткого замыкания в нагрузке. Для получения максимальной выходной мощности нет необходимости в теплоотводе (радиаторе).
Интегральная микросхема AN7120 фирмы
Matsushita выполнена в корпусе TABS5 с 14 выводами и представляет собой
усилитель мощности низкой частоты. Предназначена для использования в
магнитофонах, электрофонах, телевизионных и радиоприемниках, другой
аудиоаппаратуре среднего класса. Некоторые из основных параметров микросхемы
следующие:
Uccmin 6 V
Uccmax 18
VPвых(9V/4Ω) 2,1 W
Icc0(Uвх=0) 27 mA
Rвх
150KΩ
Ку,напр.
66dB
ΔF
40Hz-18KHz
Кг(Pвых=0,5W, f=lKHz) 0,5%
Rвыхnom 4Ω
В микросхему встроена защита выхода от короткого замыкания в нагрузке. Для получения максимальной выходной мощности микросхему необходимо установить на теплоотвод (радиатор).
Интегральная микросхема AN7133 фирмы
Matsushita выполнена вкорпусе SDIP с 24 выводами и представляет собой
двухканальный (стереофонический) усилитель мощности низкой частоты.
Предназначена для использования в магнитофонах, электрофонах, телевизионных и
радиоприемниках, другой аудиоаппаратуре среднего класса. В микросхему встроена
защита выхода от короткого замыкания в нагрузке. Для получения максимальной
выходной мощности микросхему необходимо установить на теплоотвод (радиатор).
Некоторые из основных параметров микросхемы(выходные параметры для одного
канала) следующие:
Uccmin 10 V
Uccmax 20 V
Pвыхmax 2,1 W
Icc0(Uвх=0) 22
mARвыхn
120KΩ
Ку,напр.
68dB
ΔF
30Hz-18KHz
Кг(Pвых=0,2W, f=lKHz) 0,15%
Rвыхnom 4Ω
AN7139,
AN7143, AN7147, AN7148, AN7149N,
AN7168, AN7169, AN7176, AN7178, HA1377, HA1377A,
HA1398, HA13108, K1075УH1, M5160L,
M51601L
Интегральные микросхемы AN7139,AN7143,AN7147,AN7148,AN7149N,AN7168, AN7169,AN7176,AN7178 (Matsushita),HA1377,HA1377A,HA1398,HA13108 (Hitachi), К1075УН1(СНГ), M5160L и M51601L (Mitsubhishi) выполнены в корпусах SIP1 с 12 выводами и представляют собой двухканальные (стереофонические) усилители мощности низкой частоты с идентичными схемами (цоколевками) и различными параметрами. Предназначены для использования в магнитофонах, электрофонах, телевизионных ирадиоприемниках, другой аудиоаппаратуре среднего и высокого классов. Некоторые из основных параметров микросхем (выходные параметры для одного канала) следующие:
Uccmin |
Uccmax |
Icc0 |
ΔF |
Rвых |
Pвых |
Кг |
Ку,напр. |
|
AN7139 |
9V |
24V |
30mA |
40Hz-20KHz |
4Ω |
3.5W |
0,2% |
62dB |
AN7143 |
4,3V |
24V |
30mA |
40Hz-20KHz |
4Ω |
2W |
0,2% |
62dB |
AN7147 |
8V |
24V |
ЗОтА |
40Hz-20KHz |
ЗΩ |
5,8W |
0,2% |
62dB |
AN7148 |
9V |
24V |
30mA |
40Hz-20KHz |
4Ω |
3,5W |
0,2% |
62dB |
AN7149N |
9V |
24V |
30mA |
40Hz-20KHz |
4Ω |
3,5W |
0,2% |
62dB |
AN7168 |
8V |
24V |
30mA |
40Hz-20KHz |
4Ω |
5,7W |
0,2% |
62dB |
AN7169 |
12V |
24V |
30mA |
40Hz-20KHz |
4Ω |
5,8W |
0,2% |
62dB |
AN7176 |
12V |
24V |
30mA |
40Hz-20KHz |
4Ω |
7,5W |
0,2% |
62dB |
AN7178 |
9V |
24V |
30mA |
40Hz-20KHz |
4Ω |
2,8W |
0,2% |
62dB |
НА1377 |
8V |
18V |
30mA |
40Hz-20KHz |
4Ω |
5,8W |
0,2% |
62dB |
НА1377А |
8V |
18V |
30mA |
40Hz-20KHz |
4Ω |
7W |
0,2% |
62dB |
НА1398 |
8V |
18V |
30mA |
40Hz-20KHz |
4Ω |
5,8W |
0,2% |
62dB |
НА13108 |
9V |
18V |
30mA |
40Hz-20KHz |
4Ω |
5,5W |
0,2% |
62dB |
К1075УН1 |
9V |
18V |
50mA |
40Hz-20KHz |
4Ω |
3,5W |
0,23% |
42dB |
M5160L |
12V |
30V |
40mA |
30Hz-20KHz |
4Ω |
7,5W |
0,2% |
62dB |
M51601L |
5V |
18V |
25mA |
30Hz-20KHz |
4Ω |
4,5W |
0,2% |
62dB |
В микросхемы встроена защита выхода от короткого замыкания в нагрузке, от повышения напряжения питания и термозащита. Для получения максимальной выходной мощности микросхемы необходимо установить на теплоотвод (радиатор).